韓国サムスン(Samsung Electronics)は、3次元NANDフラッシュメモリー「V-NAND」の製造工場を増強する(ニュースリリース)。具体的には、同社の韓国・平沢事業所のLine 2に、V-NANDの製造ラインを新設する。
新設される製造ラインは、V-NANDのみを製造する予定。建屋の着工は2020年5月で、21年下期の稼働予定とされる。同社は中長期的に、AIやIoT、5Gによってメモリー需要がさらに高まるとみており、今回の製造能力増強でこれに対応するという。
NANDフラッシュメモリーを、同社は平沢事業所以外に華城事業所及び中国の西安でも製造している。15年に平沢事業所を次世代メモリーのハブと定め、2つの世界最大級の製造ラインを構築しており、今回の決定はこれをさらに増強するものとなる。
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June 12, 2020 at 08:00AM
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サムスン、3次元NANDフラッシュ工場を韓国・平沢事業所に増設 - ITpro
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